Huawei продолжает бросать вызов ограничениям, наложенным санкциями США, ищущим пути обхода зависимости от экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV). Трехлетний патент компании, поданный в 2022 году и все еще ожидающий утверждения, описывает метод металлической интеграции, который позволяет использовать менее продвинутые машины глубокого ультрафиолетового излучения (DUV) для создания чипов с характеристиками 2-нм класса. Это не фантазия: SMIC уже применяет многократное паттернирование на DUV-оборудовании ASML, чтобы производить Kirin 9030 для Mate 80 Pro Max на узле N+3, имитирующем 5-нм производительность, хотя и с повышенными затратами из-за сложностей выравнивания слоев.
Метод Huawei фокусируется на интеграции металлических структур непосредственно в процесс, сочетая продвинутую память и нестандартную архитектуру. Эксперты китайской полупроводниковой отрасли предполагают, что даже логика на 14 нм, усиленная этой техникой, способна соперничать с 4-нм GPU Nvidia для ИИ-задач. Пока нет подтверждений коммерческого внедрения — патент анонсирован в январе китайским регулятором интеллектуальной собственности, — но он подчеркивает стратегический поворот: от погони за EUV к оптимизации доступных DUV-систем, где единственный проход EUV заменяется многократным травлением.
В контексте глобальной гонки чипмейкинга это развитие усиливает позиции Huawei в производстве SoC без американских компонентов. SMIC, крупнейшая китайская фабрика, уже демонстрирует реальные результаты на Mate 80, где выход годится несмотря на нюансы alignment. Для Apple и Android-производителей, зависящих от TSMC с EUV, такой прорыв Huawei сигнализирует о растущей угрозе: Китай приближается к суб-2-нм без импорта запрещенного оборудования.
