Qualcomm Snapdragon 8 Elite и его последователи демонстрируют выдающуюся производительность, но страдают от сильного нагрева во время стресс-тестов, достигая 47–50°C с заметным троттлингом. Китайский инсайдер Fixed-Focus Digital на Weibo сообщил, что следующее поколение флагманских чипов Qualcomm, включая Snapdragon 8 Elite Gen 6, интегрирует Heat Pass Block (HPB) — пассивный медный радиатор от Samsung, размещаемый прямо над кристаллом процессора для прямого отвода тепла.
Как работает HPB в чипах
HPB представляет собой инновационный тепловой блок, который меняет архитектуру упаковки SoC: вместо традиционного стека DRAM над процессором Samsung использует медный спредер для снижения теплового сопротивления на 30% по сравнению с Exynos 2500. Эта технология дебютировала в Exynos 2600 на 2-нм техпроцессе GAA, где сочетается с FOWLP-упаковкой для устойчивой работы под нагрузкой без потери кадров в играх или видео. Samsung начала лицензировать HPB конкурентам два месяца назад, что позволило Qualcomm timely внедрить её в чипы для Galaxy S27 и других флагманов.
Влияние на мобильные процессоры
Перегрев Snapdragon 8 Elite Gen 5 проявляется в реальных сценариях вроде длительного гейминга или рендеринга, но в повседневном использовании остается незаметным благодаря оптимизациям. С HPB Snapdragon 8 Elite Gen 6 преодолеет 5 ГГц без троттлинга, улучшив автономность и стабильность в смартфонах вроде Galaxy S26/S27, где Exynos 2600 уже показывает на 30% меньшие температуры. Это шаг вперед для всей отрасли, где Qualcomm традиционно доминирует, но теперь зависит от Samsung в терморегулировании.
